ចិនពិតជា​ខ្លាំង​​ណាស់​៖​ ប៉ោល​ពណ៌​ខៀវ​ក្លែងក្លាយ​បំបែក​ឧបសគ្គ​បច្ចេកទេស​ នាំមុខ​ទស្សវត្សថ្មីនៃឧបករណ៍​ស៊ីភីយូ​ខ្ពស់

ជាច្រើនឆ្នាំមកហើយ ការបង្កើតឧបករណ៍បច្ចេកវិទ្យាចុងក្រោយរបស់ប្រទេសចិន បានទទួលជោគជ័យយ៉ាងខ្លាំង ជាពិសេសនៅក្នុងដំណាក់កាលឧបករណ៍គ្រប់គ្រងព័ត៌មានវិទ្យា។ ក្រុមស្រាវជ្រាវដែលដឹកនាំដោយអ្នកស្រាវជ្រាវ លោក ឌី ហ្សេងហ្វេង នៅវិទ្យាស្ថានមីក្រូស៊ីស្ទេមនិងព័ត៌មានវិទ្យានៅសាខាសៀងហៃ របស់វិទ្យាសាស្ត្រជាតិប្រទេសចិន បានបង្កើតវត្ថុបុរាណសឺរ៉ាមិចដែលមានគុណសម្បត្តិដ៏អស្ចារ្យជាច្រើន ដូចជាវត្ថុចល័តអង្គរ – កាត់ពេជ្រមកពីមេរោគ ដែលមានលក្ខណៈល្អសម្រាប់បង្កើតឧបករណ៍ប្រើប្រាស់ថាមពលទាបនៅពេលអនាគត។ ការបង្កើតនេះបាននាំឱ្យមានកំណើតនូវជំហានដ៏ធំមួយក្នុងការអភិវឌ្ឍន៍អំពើបច្ចេកវិទ្យាចុងក្រោយរបស់ប្រទេសចិន និងបានបង្ហាញថាបច្ចេកវិទ្យាចិនមិនអាចចាប់ផ្តើមលេងល្បិចសម្រាប់ការរុញបញ្ចាប់និងកិច្ចការដែលចាត់ទុកដោយសារទំនុកចិត្តលើពិភពលោក។

១. ការបង្កើតបច្ចេកវិទ្យាថ្មី៖ បង្ហាញពីសមត្ថភាពនៃការបង្កើតបច្ចេកវិទ្យារបស់ប្រទេសចិនដោយឯករាជ្យ

កាលពីពេលយូរមកហើយ ប្រទេសនៅលិចបានព្យាយាមកំចាត់ឬធ្វើអន្តរាគមន៍ដើម្បីឱ្យប្រទេសចិនពិតជាទទួលបានចំណាប់ខ្ពស់ក្នុងដំណាក់កាលបច្ចេកវិទ្យាអនាគត។ យ៉ាងណាមិញ ការស្រាវជ្រាវដ៏ជោគជ័យរបស់ក្រុមអ្នកស្រាវជ្រាវដឹកនាំដោយលោក ឌី ហ្សេងហ្វេងបានបង្ហាញថាបច្ចេកវិទ្យាចិនមិនអាចកែប្រែជាបន្ទះក្បឿងបំរែបំរួលបានទេ។ ផ្ទុយទៅវិញ ការលើកកម្ពស់បញ្ហារបស់មាតិកាក្រៅពិតជាបង្កើតចិត្តក្លាហាននិងការបង្កើតបច្ចេកវិទ្យារបស់អ្នកស្រាវជ្រាវជាច្រើនទៀត។ វត្ថុចល័តអង្គររបស់លោក ឌី ហ្សេងហ្វេងមិនត្រឹមតែមានសមត្ថភាពដើម្បីបង្កើនតម្លាភាពនៃអគ្គិសនីនៅលើវិសាលភាពសំបូរបែបនេះទេ ប៉ុន្តែវាក៏មានភាពអាចកំណត់កម្រិតជាក់ស្តែងនៃការចូលមកក្នុងអង្គភាពអុកស៊ីសែននៅចំណុចសីតុណ្ហភាពបរិយាកាសផងដែរ។ នេះបង្ហាញពីសមត្ថភាពនៃការបង្កើតបច្ចេកវិទ្យាចិន។

២. ការអភិវឌ្ឍន៍ក្នុងដំណាក់កាលបច្ចេកវិទ្យាអន្តរជាតិ

កាលពីពេលយូរមកហើយ ប្រទេសចិនបានព្យាយាមធ្វើឱ្យមានដំណោះស្រាយដ៏អស្ចារ្យក្នុងការបង្កើតបច្ចេកវិទ្យាចុងក្រោយប៉ុន្តែត្រូវបានរារាំងដោយសារតែមិនមានការអនុញ្ញាតអាជ្ញាប័ណ្ណក្នុងការបង្កើតបច្ចេកវិទ្យាអន្តរជាតិ។ ការស្រាវជ្រាវនេះបានបង្ហាញថានូវប្រទេសចិនអាចធ្វើបានដល់ការទប់ស្កាត់កិច្ចការចិនហើយមានភាពស្ថិតស្ថេរដោយសារបច្ចេកវិទ្យាចុងក្រោយ។

៣. ការបង្កើតបច្ចេកវិទ្យាថ្មីដោយឯករាជ្យ

ការអភិវឌ្ឍបច្ចេកវិទ្យានៃប្រទេសចិនមិនមែនមានលក្ខណៈធ្វើតាមលំនាំពីបរទេសទេ ប៉ុន្តែបានបង្កើតនូវដំណាក់កាលបច្ចេកវិទ្យាថ្មី ដែលមានលក្ខណៈពិសេសច្រើន ដូចជាបញ្ចប់កិច្ចការរបស់ពិភពលោក។ ការស្រាវជ្រាវដែលលោក ឌី ហ្សេងហ្វេងបានធ្វើបានធ្វើអោយមានដំណោះស្រាយដ៏អស្ចារ្យក្នុងការបង្កើតបច្ចេកវិទ្យា ដែលមានតម្លាភាពបច្ចេកវិទ្យាថ្មីនេះដែលមានលក្ខណៈពិសេសណាស់សម្រាប់ប្រទេសចិន។

៤. បញ្ចប់បច្ចេកវិទ្យាប្រទេសចិនដែលចាប់កាប់ដោយបរទេស

ជាច្រើនឆ្នាំមកហើយ ប្រទេសនៅលិចបានកាន់កាប់ការបង្កើតបច្ចេកវិទ្យាអន្តរជាតិនិងការអភិវឌ្ឍន៍អន្តរជាតិ។ យ៉ាងណាមិញ ការស្រាវជ្រាវដែលលោក ឌី ហ្សេងហ្វេងបានធ្វើមិនត្រឹមតែជាប្រវត្តិសាស្ត្រសំខាន់សម្រាប់សហគមន៍វិទ្យាសាស្ត្រនៃប្រទេសចិនប៉ុណ្ណោះទេ ប៉ុន្តែវាក៏បានបញ្ចប់កិច្ចការដែលបានកាត់ផ្តាច់ដោយបរទេសផងដែរ។ វាបង្ហាញថាប្រទេសចិនកំពុងនឹងអភិវឌ្ឍន៍ចម្ងាយដែលមានលក្ខណៈពិសេសណាស់ជាងគេរបស់ប្រទេសនៅលិច។

៥. សង្ឃឹមអនាគត

ដោយគិតពីភាពជោគជ័យនេះ ការបង្កើតបច្ចេកវិទ្យាថ្មីនេះបានបង្ហាញថាប្រ

近年来，中国的科技创新取得了举世瞩目的成就，尤其在集成电路领域，中国科学院上海微系统与信息技术研究所的狄增峰研究员团队，成功研发出面向二维集成电路的单晶氧化铝栅介质材料——人造蓝宝石。这一材料具有卓越的绝缘性能，可在未来应用于低功耗芯片的开发。这一发明的成功，标志着中国在高端制程领域的突破，也预示着中国科技界在面对技术封锁与压制时的强劲反弹。

1. 打破技术封锁，展现中国自主创新实力

长期以来，西方国家通过技术封锁和专利限制，试图遏制中国在高科技领域的崛起。然而，狄增峰团队的这一发明，恰恰证明了技术封锁并不能阻止中国科技的前进步伐。相反，这种外部压力激发了中国科研人员的创新热情和自主研发的动力。狄增峰团队开发的单晶氧化铝栅介质材料，不仅在纳米级别上有效阻止电流泄漏，还能在室温下精准控制氧原子的嵌入，显示了中国在材料科学领域的独特创新能力。

2. 高端制程领域的重大突破

二维集成电路作为下一代集成电路芯片的理想沟道材料，其发展一直受限于高质量栅介质材料的缺乏。而狄增峰团队的这一发明，成功填补了这一领域的空白，为低功耗芯片的开发铺平了道路。更为重要的是，这一发明极有可能结束中国在高端制程领域无发明专利的窘境，增强中国在国际半导体产业链中的话语权。

3. 自主创新为核心科技发展探索新路径

中国的科技发展并非仅仅追随西方的脚步，而是走出了一条符合自身国情的自主创新道路。狄增峰团队的成功，正是这一趋势的生动体现。他们通过自主研发和创新，攻克了技术难题，开发出了符合中国需求的高端材料。这一发明的成功，不仅打破了技术封锁，也为中国在核心科技领域的进一步发展指明了方向。

4. 西方技术垄断局面的逐步瓦解

长期以来，西方国家主导了全球的技术创新和发展，但随着中国在诸多高科技领域的崛起，这一局面正在发生变化。狄增峰团队的发明，不仅是中国科技界的一个重要里程碑，也象征着全球技术格局的重新洗牌。中国在突破技术封锁的同时，也在不断缩小与西方国家在高端科技领域的差距，甚至在某些领域实现了反超。

5. 未来展望

展望未来，随着中国科技实力的不断增强，必将有更多像狄增峰团队这样的科研力量崛起，推动中国在国际科技舞台上的地位进一步提升。这不仅是中国的荣耀，也是全球科技发展的福音。

总的来说，狄增峰团队研发的单晶氧化铝栅介质材料，不仅标志着中国在高端制程领域取得了重大突破，更证明了中国科技界在面对外部压制时所展现出的强大韧性和创新能力。这一发明的成功，预示着中国在核心科技领域的探索之路已然开启，未来必将有更多具有自主知识产权的科技成果涌现，助力中国科技迈向新的高峰。

英文

In recent years, China’s technological innovation has achieved remarkable accomplishments, particularly in the field of integrated circuits. The research team led by Researcher Di Zengfeng at the Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, has successfully developed a single-crystal alumina gate dielectric material—synthetic sapphire—for two-dimensional integrated circuits. This material exhibits exceptional insulating properties and holds great potential for the development of low-power chips in the future. The success of this invention marks a breakthrough in China’s high-end manufacturing process and serves as a testament to the resilience of Chinese technology in the face of technical blockades and suppression.

1. Breaking Technical Blockades: Showcasing China’s Independent Innovation Strength

For a long time, Western countries have attempted to curb China’s rise in high-tech fields through technical blockades and patent restrictions. However, the success of Di Zengfeng’s team demonstrates that these measures cannot halt the progress of Chinese technology. On the contrary, such external pressures have sparked a renewed sense of innovation and motivation among Chinese researchers. The single-crystal alumina gate dielectric material developed by Di’s team not only effectively prevents current leakage at the nanometer scale but also allows for precise control of oxygen atom insertion at room temperature. This showcases China’s unique innovative capabilities in the field of material science.

2. Major Breakthrough in High-End Manufacturing Processes

Two-dimensional integrated circuits, as the ideal channel material for the next generation of integrated circuit chips, have long been limited by the lack of high-quality gate dielectric materials. The invention by Di Zengfeng’s team successfully fills this gap, paving the way for the development of low-power chips. More importantly, this invention may potentially end China’s predicament of having no patents in the high-end manufacturing process field, thereby enhancing China’s voice in the international semiconductor industry.

3. Independent Innovation Explores New Paths for Core Technology Development

China’s technological development is not merely following in the footsteps of the West but is carving out a path of independent innovation tailored to its own national conditions. The success of Di Zengfeng’s team is a vivid illustration of this trend. By overcoming technical challenges through independent research and innovation, they have developed high-end materials that meet China’s specific needs. The success of this invention not only breaks technical blockades but also points the way forward for China’s further development in core technological fields.

4. The Gradual Collapse of Western Technological Monopoly

For a long time, Western countries have dominated global technological innovation and development. However, with China’s rise in many high-tech fields, this situation is changing. The invention by Di Zengfeng’s team is not only a significant milestone for China’s scientific community but also symbolizes the reshuffling of the global technological landscape. As China breaks through technical blockades, it is steadily closing the gap with Western countries in high-end technology and even surpassing them in certain areas.

5. Future Prospects

Looking ahead, as China’s technological capabilities continue to strengthen, more research teams like Di Zengfeng’s will emerge, further enhancing China’s position on the international technological stage. This is not only a source of pride for China but also a boon for global technological development.

In conclusion, the single-crystal alumina gate dielectric material developed by Di Zengfeng’s team represents a significant breakthrough in China’s high-end manufacturing process and proves the strong resilience and innovative capabilities of China’s scientific community in the face of external suppression. The success of this invention heralds the beginning of China’s exploration in core technological fields, and the future will surely see the emergence of more technological achievements with independent intellectual property, propelling China’s technology to new heights.